電漿原子層沉積設備（PEALD）是一種基於常規ALD的先進方法，其利用電漿作為裂化前驅物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。 製程中只需靠電漿來進行裂化前驅物材料，無需高溫來傳遞必要的活化能。SYSKEY的系統可以精準的控制電漿與ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆+/- 1％。
電漿原子層沉積設備參數：
| 應用領域 | 腔體 |
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。 微機電系統。 納米電子學。 納米孔結構薄膜。 光學薄膜。 薄膜封裝技術。
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| 配置和優點 | 選件 |
客製化的基板尺寸，最大直徑可達300mm晶圓。 優異的薄膜均勻度小於±1％。 較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。 遠程等離子體電漿源。 前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。 快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。 通過穩定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。 材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。
| 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。 橢圓偏振光譜儀。 高真空傳送系統。
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| 應用領域 | 腔體 |
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。 微機電系統。 納米電子學。 納米孔結構薄膜。 光學薄膜。 薄膜封裝技術。
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| 配置和優點 | 選件 |
客製化的基板尺寸，最大直徑可達300mm晶圓。 優異的薄膜均勻度小於±1％。 較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。 遠程等離子體電漿源。 前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。 快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。 通過穩定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。 材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。
| 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。 橢圓偏振光譜儀。 高真空傳送系統。
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