原子層沉積系統(tǒng)

簡要描述：原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學過程的最重要技術(shù)之一；它可以被視為一種特殊類型的化學氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應使用兩種或更多種化學物質(zhì)（稱為前驅(qū)物，也稱為"反應物“）。

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更新時間：2024-07-10
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沉積系統(tǒng)

便攜式樣品傳送腔體激光沉積系統(tǒng) 原子層沉積設備

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原子層沉積系統(tǒng)ALD 用於薄膜沉積的原子層沉積是基於順序使用氣相化學過程的最重要技術(shù)之一；它可以被視為一種特殊類型的化學氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應使用兩種或更多種化學物質(zhì)（稱為前驅(qū)物，也稱為“反應物"）。這些前驅(qū)物以一種連續(xù)的且自我限制的方式，一次與一種材料的表面反應。通過多個ALD循環(huán)，薄膜被緩慢沉積。 ALD為製造半導體元件的重要製程，並且是可用於合成納米材料主要工具的一部分。

原子層沉積系統(tǒng)ALD具有許多優(yōu)點，例如出色的均勻性，在複雜形狀的基板表面上沉積的具有相同膜厚的膜保形性，低溫處理。因此，ALD被應用於微電子，納米技術(shù)和生物技術(shù)領(lǐng)域中，這些領(lǐng)域經(jīng)常在有機和生物樣品之類的軟基底。上工作。